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Semiconductor Device Pro


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關於Semiconductor Device Pro

電子器件,電路,二極管,晶體管和結點簡述

*半導體器件,電子電路由既不是良導體也不是良好絕緣體的材料製成。

*半導體器件只不過是利用半導體材料電子特性的電子元件,如矽,鍺和砷化鎵,以及有機半導體。

關鍵術語

o半導體

o二極管

o晶體管

o雙極結型晶體管

o基地

o收藏家

o發射器

o集成電路

這個有用的應用程序列出了160個主題,包括詳細的註釋,圖表,方程式,公式和課程材料,主題在5章中列出。該應用程序必須為所有工程科學專業的學生和專業人士。

跟踪您的學習,設置提醒,編輯學習材料,添加喜愛的主題,在社交媒體上分享主題。

您還可以通過智能手機或平板電腦或http://www.engineeringapps.net/撰寫關於工程技術,創新,工程創業公司,大學研究工作,研究所更新,課程材料和教育計劃的信息鏈接的博客。

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應用程序中涵蓋的一些主題包括:

1. Haynes-Shockley實驗

2.半導體材料

3.水晶格子

4.立方格

5.飛機和方向

6.鑽石格子

7.散裝晶體生長

8.單晶錠的生長

9.晶圓

10.外延生長

11.氣相外延

12.分子束外延

13.半導體中的電荷載流子

14.有效質量

15.內在材料

16.外在材料

17.量子阱中的電子和空穴

18.費米等級

19.補償和空間費用中立

20.漂移和抵抗

21.光學吸收

22.光致發光

23.電致發光

24.載體壽命和光電導率

25.電子和孔的直接重組

26.間接重組;誘捕

27.穩態載波生成;準費米水平

28.光電導器件

29.擴散過程

30.載體的擴散和漂移:內置場

31.擴散和重組;連續性方程

32.穩態載流子注入:擴散長度

33.準費米級的梯度

34.載氣濃度的溫度依賴性

35.溫度和興奮劑對流動性的影響

36.高場效應

37.霍爾效應

38. p-n結的製造:熱氧化

39. P-N結的擴散

40.快速熱處理

41.離子注入

42.化學氣相沉積(CVD)

43.光刻

44.蝕刻

45.金屬化

46.平衡條件

47.均衡費米水平

48.交叉路口的空間充電

49.正向和反向偏置連接點

50.載體注射

51.反向偏見

52.反向偏差分解

53. Zener分解

54.雪崩故障

55.整流器

56.擊穿二極管

57.瞬態和A-C條件

58.逆向恢復瞬態

59.理想二極管模型

60.接觸電位對載體注入的影響

61.開關二極管

62. p-n結的電容

63.過渡地區的重組和生成

64.歐姆損失

65.分級交匯點

66.金屬半導體結:肖特基勢壘

67.目前的運輸過程

68.熱電子發射理論

69.擴散理論

70.熱電子 - 輻射 - 擴散理論

71.糾正聯繫人

72.隧道電流

73.少數民族 - 載體注射

74. MIS隧道二極管

75.障礙高度的測量

76.激活能量測量

77.光電測量

78.歐姆接觸

每個主題都包含圖表,方程式和其他形式的圖形表示,以便更好地學習和快速理解。

半導體設備是各大學的工程教育課程和技術學位課程的一部分。

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更多應用信息

最新版本

1

系統要求

4.0

內容分級

Everyone

最新版本1更新日誌

Last updated on 2018年11月29日

Minor bug fixes and improvements. Install or update to the newest version to check it out!

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